国网宁东-绍兴±800千伏特高压第二批（通信设备）招标公告

【总结】在过去的几年里，国网公告通过不同学科的共同努力，太阳能驱动的界面蒸发得到了广泛的研究。

音响方面，宁东这款电视搭载10个发声单元，72W大功率，支持杜比全景声10月24日，绍兴设备海信视像官方发布2023年10月25日星期三Q3财报。

▍市场表现：千伏全球化加速，市场份额提升2023年1-8月，海信系电视出货量稳居全球第二。▍海信激光显示：特高通信销量同比增长40%2023年底三季度，海信100英寸及以上家用激光显示产品（激光电视及激光影院），销量同比增长40%。本季度，压第全球首台4万级分区MiniLED电视海信电视UX，以及国内首台毫米波全维感知MiniLED电视海信电视U8发布。

数据显示，招标2023年前三季度，海信视像营业收入达392.26亿元，同比增长20.65%，归母净利润达13.58亿元，同比增长59.57%。2023年前三季度智慧显示终端收入境内市场同比增长11.06%，国网公告境外市场同比增长25.55%。

2023年1-8月，宁东海信品牌电视品牌价格指数在美国、日本、德国、英国、法国、意大利、西班牙、泰国等海外市场均同比提升。

▍产品表现：绍兴设备大屏高端化带动产品结构升级2023年第三季度，境内外智慧显示终端产品结构高效升级。千伏Lu课题组59通过水热法在泡沫镍表面直接生长相互交联的Co0.85Se纳米片,并直接用作电极,比电容高达1528F/g.Arul和Han60制得的二维NiSe2比电容为75F/g,5000次循环测试后容量保持率高达94%。

(cd)TEM图.2.3静电纺丝（Electrospinning）静电纺丝就是高分子流体静电雾化的特殊形式，特高通信此时雾化分裂出的物质不是微小液滴，特高通信而是聚合物微小射流，可以运行相当长的距离，最终固化成纤维.是一种比较方便的生长TMDC纤维及基碳组份纤维的一种方法.Maier课题组24利用这种技术，将单层的MoS2嵌入到了碳纳米纤维上.将内含      (NH4)2MoS4 的DMF和PVP慢慢注射入装置中进行热处理.合成的纤维直径为50nm，包覆的单层MoS2厚度为4nm.静电纺丝还可以与CVD发结合生长TMDC材料.Yang课题组25首先用含钼源和SiO2的PVP进行静电纺丝(图3)，合成一层薄薄的纤维网，随后用CVD法将多层石墨烯沉积在纤维网上，最后在MoS2@graphene材料在H2/H2S气体中进行退火处理把SiO2移除.这种方法在移除PVP之后不仅能够保持原本的管状结构，而且在硫化过程中能够有效地抑制MoS2的团聚现象，保持固定的结构。Cheon课题组31以油酸为配体,制备了二硒化钼和WSe2单层二维结构.Raymond课题组32将硒粉溶解于十八烯(ODE)中得到ODE-Se溶液,将其加热到240℃后,注入到含有Na2MoO4,油酸和1-辛胺的混合溶液中,300℃反应30min,最终得到形貌尺寸均匀、压第由二硒化钼纳米薄片组装的纳米花状结构.通过液相方法合成的二硒化钼纳米薄片通常具有一定的缺陷,也会产生更多的活性位点,为电催化反应提供反应位点,提高其催化性能.3.TMDC材料的光电应用数字信息时代,半导体技术的核心地位日益突出.信息产品、压第微电子器件、集成电路,任何一样的发展都离不开半导体技术的进步.随着器件加工从微电子领域进入到纳米尺度,原先所使用的半导体材料已不能满足当前应用需求.研究表明,TMSs的电学、结构特性可通过改变自身厚度进行调控,因而更有利于其在微纳电子器件应用方面的拓展.TMDC材料的发展已经走过数十年的历程,但对于超薄厚度材料的研究,尤其是在器件应用方面的涉及还不够深入.大多数的TMDC材料都有合适的带隙，例如：MoS2的直接带隙为1.8ev,间接带隙为1.2ev,WS2的直接带隙为2.1ev，间接带隙为1.4ev.因此TMDC材料可以用于构筑光电探测器、场效应晶体管，传感器等，表现出光响应高、灵敏度高的优良特性.鉴于此，下面就分别以TMDC材料在光电器件领域的应用展开讨论.3.1光电器件基于TMDC材料的场效应晶体管（FET）能够表现出优良的特性，对FET来说，（1）载流子迁移率和通路电流需要足够大才能实现快速响应.（2）为了实现快速转换和低能耗，开关比要足够大，漏极电流需要足够低.鉴于此，Ren课题组33通过CVD方法成功在金箔上合成了单层WSe2,在仅30s内生长率达到了26um/s，并构筑成了单一WSe2 FET(图5(a)),载流子迁移率达到143cm2/vs，开关比为9*106.Wang课题组34利用原子层沉积的方法，生长了60nm的Al2O3用于代替二氧化硅作为介质绝缘层(图5(b)).同时将磁致伸缩材料（Terfenol-D）、银和铁电材料来取代传统的硅衬底.相应制成的器件开关比在上升态和下降态可以达到330%和432%，且外磁场低至33或42mT.这种通过选择合适的衬底材料，在磁场，半导体和自旋电子学之间提供了新的耦合方式，提升了器件在磁传感，逻辑装置之间的应用，为今后其他材料的研究指明了方向. Ferrari课题组35同样利用单层石墨烯和单层      MoS2组成异质结,采用柔性基底和聚合物电解质,构筑了柔性、高性能的光电检测器件.图5(c)表示了器件中电子传输的机制,当栅压为零时,聚合物电解质两侧不带电,p型掺杂的单层石墨烯不涉及电子注入;当栅压为负时,聚合物电解质接触p型掺杂石墨烯的界面带负电,石墨烯p型掺杂更高,石墨烯/MoS2界面电场增强,会使MoS2中电子转移至石墨烯中;当栅压为正时,聚合物电解质接触p型掺杂石墨烯的界面带正电,石墨烯p型掺杂程度降低直至变为n型掺杂,石墨烯/MoS2界面电场减弱,只有MoS2中才能注入电子.为了增加n型掺杂石墨烯沟道中的自由载流子浓度,需要控制外部响应率和光电流的增量.此光电检测器在栅压1~0.5V时受光照电流降低,在栅压大于0.5V时,石墨烯为n型掺杂,受光照电流会略有升高,并且在较弱光照、负栅压下可以观测到最大的外部响应率为5.5AW-1.此器件最高可以达到45.5AW-1的外部响应率和570AW-1的内部响应率.此外,将此柔性光电检测器进行弯曲,这种光电检测器具有高响应性、柔性透明、低工作电压的优势.图5光电器件.(a)WSe2晶体管制备图(b)基MoS2磁感应压电晶体管(c)MoS2/graphene异质结柔性光电检测器在不同栅压时能带示意图.(d)单层MoS2阵列晶体管形成示意图.类似的，Yu课题组36利用石墨烯，六角氮化硼和二硫化钼组成了graphene/h-BN/MoS2的异质结，在确定波长532nm激光照射下，获得的光响应频率最高达180AW-1，光探测频率为2.6×1013琼斯，其中光电流与暗电流比值大于105，表现出优异的光检测性能.Hu课题组37将MoSe2生长成空球阵列的形式，采用硅片和柔性基底，构筑成了柔性，高性能的光电检测器，在不同的波长照射下表现了良好的输出光电流，即使将光电检测器进行弯曲，其光电流几乎毫无变化.这样的光电检测器符合未来各项器件趋向于可穿戴，智能化等要求。

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